SK海力士宣布业内首款4D闪存

发布时间:2021-07-17 01:00 阅读次数:
本文摘要:已经美举办的FlashMemorySummit当日早就完成,闪光点颇多。Keynote阶段,到数第二个登场(分列在中国的长江存储前)的是SK海力士,它在NAND销售市场的全球市场份额位居第五,DRAM市场份额全球第二。最先是三维NAND的关键技术随意选择,SK海力士称作,CTF(ChargeTrapFlash,正电荷捕获型)比FloatingGate(浮栅型)存储单元总面积更为小、速率更为慢、更为轻便(P/E频次多)。

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已经美举办的FlashMemorySummit当日早就完成,闪光点颇多。Keynote阶段,到数第二个登场(分列在中国的长江存储前)的是SK海力士,它在NAND销售市场的全球市场份额位居第五,DRAM市场份额全球第二。最先是三维NAND的关键技术随意选择,SK海力士称作,CTF(ChargeTrapFlash,正电荷捕获型)比FloatingGate(浮栅型)存储单元总面积更为小、速率更为慢、更为轻便(P/E频次多)。

只不过是三星从二零一三年的第一代V-NAND三维存储器就刚开始用以CTF了,飞利浦/西数(闪迪)的BiCS亦是如此。自然,美光/Intel還是果断浮栅,但是这推翻不在乎,确是她们有更为春风得意的三维Xpoint(根据热学运行内存,还一说是ReRAM磁电式式运行内存)。接下去,SK海力士宣布开售了全球第一款5D存储器。

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从当场得到的技术性展现看来,5D存储器和先前长江存储的Xtacking十分相似,只不过是外围电路(PUC,Peri.Circuits)在存储单元正下方,好处有三点,一是处理芯片总面积更为小、二是应急处置施工时间增加、三是成本费降低。


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